| 型号：FDD5680 | 类别：FET - 单 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 描述：MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK |
| 系列 | PowerTrench® |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 8.5A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 21 毫欧 @ 8.5A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 46nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 1835pF @ 30V |
| 功率_最大 | 1.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
| 深圳兴中扬电子科技有限公司 | 张生0755-83747144 |
| 深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
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